Diodes為提供空間要求嚴格的產品設計，擴充了旗下超小型分立元件產品系列。新推出的三款小訊號金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)包括20伏特(V)和30V額定值的N通道電晶體，以及30V額定值的P通道元件，產品全都採用DFN0606微型封裝。每個元件的電路板佔位面積僅0.6毫米(mm) × 0.6mm，比一般採用DFN1006(SOT883)封裝的MOSFET小40%，是下一代可穿戴式科技產品、平板電腦及智慧型手機的理想之選。
Diodes為提供空間要求嚴格的產品設計，擴充了旗下超小型分立元件產品系列。新推出的三款小訊號金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)包括20伏特(V)和30V額定值的N通道電晶體，以及30V額定值的P通道元件，產品全都採用DFN0606微型封裝。每個元件的電路板佔位面積僅0.6毫米(mm) × 0.6mm，比一般採用DFN1006(SOT883)封裝的MOSFET小40%，是下一代可穿戴式科技產品、平板電腦及智慧型手機的理想之選。
DMN2990UFZ(20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ(30V nMOS通道)和DMP32D9UFZ(30V pMOS通道)能提供與大多數大型封裝元件相同甚至更佳的電氣性能。新產品旨在盡量降低導通電阻，並同時維持卓越的開關效能；此外，元件的典型臨界電壓低於1V，這種低開啟電壓適合單電池操作模式。
全新微型MOSFET非常適合進行高效率功率管理，還可做為通用介面及簡單的類比開關。這些DFN0606封裝元件的功耗達到300mW，使電路功率密度得以提升。
Diodes網址：www.diodes.com