Infineon MOSFET EMI

英飛凌OptiMOS5 150V大幅降低導通電阻和逆向復原電荷

2017-01-09
英飛凌(Infineon)推出OptiMOS5 150V產品組合,進一步拓展領先業界的OptiMOS第五代功率MOSFET系列。全新150V系列特別針對需求低電荷、高功率密度同時具備高耐用度的高效能應用,如低壓驅動器、電信電源與的同步整流以及太陽能轉換器所設計。
英飛凌(Infineon)推出OptiMOS5 150V產品組合,進一步拓展領先業界的OptiMOS第五代功率MOSFET系列。全新150V系列特別針對需求低電荷、高功率密度同時具備高耐用度的高效能應用,如低壓驅動器、電信電源與的同步整流以及太陽能轉換器所設計。

英飛凌持續開發能夠促成高效率設計的產品,以協助降低全球CO2排放量。OptiMOS5 150V能減少電信設備的功耗,亦或增加電動車的功率與行程,對環保的目標作出了貢獻。

相較於次佳的同類產品,採用SuperSO8封裝的OptiMOS5 150V大幅降低25%的導通電阻RDS(on)。在相同的RDS(on)下,本系列產品的FOMg 較前一代產品提高了29%。由於超低Qrr比SuperSO8中次佳同類產品低72%,因此可提升整流耐用度,同時也具備強化的EMI 特性。

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