MOSFET 英飛凌 新品發布 電源控制器

英飛凌加速推出CoolSiC MOSFET分離式封裝產品組合

2019-05-22
英飛凌科技股份有限公司1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 mΩ 至 350 mΩ ,並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列,即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SMD) 產品組合及 650 V CoolSiC MOSFET 產品系列。藉由這些產品,英飛凌滿足了電源轉換方案對節能 SiC 解決方案的快速成長需求,包括:電池充電基礎設施、能源儲存解決方案、光伏逆變器、不斷電系統 (UPS)、馬達驅動器,以及伺服器和通訊電源開關式電源供應器 (SMPS)。

英飛凌工業電源控制事業處總裁 Peter Wawer 表示,在英飛凌,新基礎技術的推出必須通過嚴格品質標準的控管。即使在組裝分立封裝產品時,其前端和後端的量產生產流程也必須通過驗證,包括統計資料的收集、生產監控,以及超越標準化程序的應用相關測試。在碳化矽 (SiC) MOSFET 基底技術安整地完成量產階段驗證後,我們成功地推出工業應用的完整分立式SiC 產品系列。

如同所有先前採用的 TO247 和 Easy 功率模組封裝的CoolSiC MOSFET產品,新款分立式裝置採用領先業界的溝槽式 SiC MOSFET 半導體製程技術,兼具最低的應用損耗以及最高的可靠性。此外,根據相關的應用,此閘源工作電壓符合分立封裝解決方案之需求。低動態損耗特性,致使可藉由簡易的單電源閘極驅動方案實現最高的效率。

CoolSiC 溝槽技術獨具高於 4 V 的高閾值電壓額定值 (Vth),並結合低米勒電容。因此,相較於市場上其他的 SiC MOSFET,CoolSiC MOSFET 具有最佳的防止寄生導通效應的抗性。全新的英飛凌 SiC 分立式 MOSFET 結合 +18 V 的導通閘源電壓與 5 V 餘量以達到最大額定電壓 +23 V,並具有超越矽 (Si) IGBT、超接面 MOSFET 以及其他 SiC MOSFET 的優勢。

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