FinFET FOD RF

格羅方德12nm FD-SOI工藝拓展FDX路線圖

2016-09-14
格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIES)發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平台12FDXTM,實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖,從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基礎之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智慧、無人駕駛汽車等各類應用智慧系統而設計。
格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIES)發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平台12FDXTM,實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖,從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基礎之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智慧、無人駕駛汽車等各類應用智慧系統而設計。

格羅方德半導體首席執行官Sanjay Jha表示,某些應用需要FinFET晶體管的高級性能,但大多數聯網設備需要在性能和功耗之間實現更高的整合度和靈活性,同時還要求低於FinFET的成本。格羅方德的22FDX和12FDX工藝為打造下一代智慧係統提供了一條新路徑,填補了行業路線圖的空白。我們的FDX平台可大幅降低設計成本,重新打開了先進節點遷移的大門,並促進生態系統內的進一步創新。

12FDX為系統整合樹立了全新標準,提供了一個將射頻(RF)、模擬、嵌入式存儲和高級邏輯整合到一個晶片的優化平台。此外,該工藝還通過軟件控制晶體管實現按需提供峰值性能,同時平衡靜態和動態功耗以取得頂級能效,實現業內最廣泛的動態電壓調節和設計靈活性。

格羅方德半導體網址:www.globalfoundries.com

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