RF Micro Devices宣布將於2013消費電子展(CES)展出用於智慧能源/先進讀表基礎設施(AMI)應用的高整合度前端模組(FEM)。RFMD的單晶片RFFM6403 FEM提供高效能，可縮短客戶設計時間，並加速操作於405MHz～475MHz頻率範圍以及用於可攜式電池供電設備及通用433/470MHz ISM頻段之智慧能源/AMI的上市時間。
RF Micro Devices宣布將於2013消費電子展(CES)展出用於智慧能源/先進讀表基礎設施(AMI)應用的高整合度前端模組(FEM)。RFMD的單晶片RFFM6403 FEM提供高效能，可縮短客戶設計時間，並加速操作於405MHz～475MHz頻率範圍以及用於可攜式電池供電設備及通用433/470MHz ISM頻段之智慧能源/AMI的上市時間。
多功能的RFFM6403內建傳輸高功率路徑，具備+30.5dBm PA 及 Tx 諧波輸出濾波、以及具備Tx諧波輸出濾波之傳輸旁通路徑及具備低雜訊放大器(LNA)及旁通模式的接收路徑。該FEM同樣具備低差入損耗/高隔離SP3T開關及分開的Rx/Tx 50Ω埠，可簡化匹配，同時提供針對Tx及Rx路徑的輸入及輸出訊號。
RFFM6403專為操作於高效率及之30 dBm最小輸出功率之AMI系統而設計。在接收路徑上，Rx鏈可提供16dB的典型增益，具備僅5毫安培(mA)的電流及1.7dB絕佳雜訊指數。
RFMD網址：www.rfmd.com