意法半導體(ST)先進的V系列600V溝槽式場截止型絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)擁有平順、無曳尾(Tail-less)電流的關機特性，飽和電壓更是低達1.8伏特(V)，最大工作結溫高達175°C，這些優勢將有助於開發人員提高系統能效和開關頻率，並簡化散熱設計和電磁干擾設計。
意法半導體(ST)先進的V系列600V溝槽式場截止型絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)擁有平順、無曳尾(Tail-less)電流的關機特性，飽和電壓更是低達1.8伏特(V)，最大工作結溫高達175°C，這些優勢將有助於開發人員提高系統能效和開關頻率，並簡化散熱設計和電磁干擾設計。
透過消除IGBT固有的關機曳尾電流特性，意法半導體的新元件提高了開關能效與最大開關頻率。新產品的裸片非常薄，有助於提高開關和散熱性能。意法半導體獨有且經最佳化的溝槽式場截止型製程降低了熱阻，最高結溫高達175°C，同時實現了對飽和電壓等參數的嚴格控制，允許多個IGBT安全平行，進而提高電流密度和通態能效。
全新的IGBT非常穩固，擁有很高的Dv/dt耐壓性能。與IGBT封裝在一起的超高速軟恢復(Soft-recovery)二極體可最大幅度地降低導通能耗。針對更成本更敏感的應用，意法半導體還推出了可無二極體的型號選項。
意法半導體網址：www.st.com