MOSFET 高速整流器 升壓二極體

Diodes超高速整流器提供600V 8A效能

2015-09-02
Diodes推出的600伏特(V)8安培(A)超高速整流器DSR8F600採用特別設計,可應用於具備功率因數校正和持續導通模式的升壓二極體。目標市場為需要在平板電視、伺服器和電訊系統等終端設備內提供超過75瓦(W)高輸出開關式電源,以滿足歐洲、美國、日本及中國大陸更高能源效益標準。
Diodes推出的600伏特(V)8安培(A)超高速整流器DSR8F600採用特別設計,可應用於具備功率因數校正和持續導通模式的升壓二極體。目標市場為需要在平板電視、伺服器和電訊系統等終端設備內提供超過75瓦(W)高輸出開關式電源,以滿足歐洲、美國、日本及中國大陸更高能源效益標準。

新產品20ns超高速反向恢復時間可降低功率因數校正金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)開關損耗;加快開關速度以及提升能源效益。快速軟恢復功能有助於減少鳴震及電磁干擾。元件透過3.9A低反向恢復電流,降低升壓二極體的恢復損耗,並同時減少MOSFET功耗,以及減低系統故障的風險。1.95V低正向電壓降能把升壓二極體導通損耗降到最低。

該整流器為要求消耗最少能源功率因數校正電路設計師而設計,能把噪聲降至最低之餘還可達到最高功率效率。

Diodes網址:www.diodes.com

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