格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)推出一項特別研發的半導體技術--22FDX平台，這項技術能達到媲美鰭式電晶體(FinFET)性能和能效，成本趨近於28奈米平面式(Planar)技術，讓主流行動、物聯網(IoT)、射頻(RF)連結及網路市場有最佳解決方案。
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)推出一項特別研發的半導體技術--22FDX平台，這項技術能達到媲美鰭式電晶體(FinFET)性能和能效，成本趨近於28奈米平面式(Planar)技術，讓主流行動、物聯網(IoT)、射頻(RF)連結及網路市場有最佳解決方案。
雖然有些應用會要求到3D FinFET電晶體最頂級性能，但多數無線裝置需要的是性能、功耗及成本間最佳綜合考量。運用業界率先推出的22nm 2D全空乏絕緣覆矽技術(FD-SOI)，22FDX提供成本敏感應用最佳選擇。憑藉業界最低0.4伏特(V)運作電壓，達到超低動態功耗、低熱效應，以及精巧產品尺寸規格；相較於28nm，22FDX晶粒尺寸縮減20%，光罩數目減少10%；而與foundry FinFET相比，更減少近50%浸潤式微影層。
GLOBALFOUNDRIES公司營運長Sanjay Jha表示，22FDX平台讓客戶善用最佳功耗、性能及成本，推出有別於市場的產品。此平台率先推出即時系統軟體，可控制電晶體特性，系統設計師能夠動態平衡功率、性能及漏電。此外，對於RF和類比整合來說，這個平台提供最佳調整彈性，同時具備最高能源效率。
22FDX平台實現用軟體控制電晶體特性，達到在靜態電源、動態電源及效能間作到即時調適。此平台中包含不同性能產品，如22FD-ulp針對主流低成本智慧型手機市場，超低功耗產品功能提供FinFET外另一種選擇。透過基底偏壓技術，22FD-ulp比起0.9V 28nm HKMG，功耗降低超過70%，而功率和性能都媲美FinFET。對於部分物聯網和消費應用，平台可在0.4V下運作，並相較於28nm HKMG能減少90%的功耗。
22FD-uhp則是運用類比整合網路應用，能在最小能耗情況達到與FinFET同級超高性能，客製化設計包含順向體偏壓、應用最佳化金屬堆疊及支援0.95V驅使電壓；22FD-ull的超低漏電性能適用於可穿戴和物聯網裝置，具備與22FD-ulp相似功能，將漏電降至最低1pa/um。結合低運轉功率、超低漏電和彈性基底偏壓特性，可開發出功耗大幅減低的電池供穿戴裝置使用；
而22FD-rfa此一射頻類比產品提供更高資料傳輸速率以及較低系統成本下50%功耗減省，能夠滿足LTE-A行動接收器、高階MIMO WiFi整合晶片，以及毫米波雷達在內等大量射頻應用要求。主動射頻元件後閘功能則能降低，甚至免除主要射頻訊號路徑線路中複雜補償電路，射頻設計者因而可以提取出更多內在Ft效能。
格羅方德網址：www.globalfoundries.com