氮化鎵(GaN)在電源應用已證明能提供優於矽基元件的重要性能優勢。安森美(On Semiconductor)和功率轉換專家Transphorm就此合作，共同開發及共同推廣基於GaN的產品和電源系統方案，用於工業、電腦、通訊、LED照明及網路領域的各種高壓應用。
氮化鎵(GaN)在電源應用已證明能提供優於矽基元件的重要性能優勢。安森美(On Semiconductor)和功率轉換專家Transphorm就此合作，共同開發及共同推廣基於GaN的產品和電源系統方案，用於工業、電腦、通訊、LED照明及網路領域的各種高壓應用。
GaN是一種新興的半導體工藝技術，提供超越矽的多種優勢，被稱為第三代半導體材料，用於電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟式切換DC-DC、各種終端應用如電源轉接器、光伏逆變器或太陽能逆變器、伺服器及通訊電源等，可實現矽元件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水準，為交換式電源供應器和其他在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能的飛躍。
GaN超越矽，可實現更快速切換、更緊湊的尺寸、更高功率密度及更高的電源轉換能效，適用於交換式電源供應器和其他在能效及功率密度至關重要的應用。高能效的電源轉換有利於軟切換電路拓墣結構回收能量，如相移全橋、半橋或全橋LLC、同步升壓等。
安森美網址:http://www.onsemi.cn