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Diodes P通道MOSFET降低負載開關損耗

2015-12-30
Diodes新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET採用了設計小巧的2mm×2mm DFN2020封裝,分別提供12V和20V的額定值。新產品適用於追求高效電池管理的平板電腦、智慧型手機、超輕薄筆電等可攜式消費性電子產品的負載開關,以及物聯網的應用。
Diodes新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET採用了設計小巧的2mm×2mm DFN2020封裝,分別提供12V和20V的額定值。新產品適用於追求高效電池管理的平板電腦、智慧型手機、超輕薄筆電等可攜式消費性電子產品的負載開關,以及物聯網的應用。

兩款MOSFET在低閘極驅動情況下提供低導通電阻,有效滿足那些希望用簡易的方法關閉低壓電源軌的電路設計師。這還確保低至1.5V的電源軌能夠以最低通損耗進行開關。DMP1022UFDF在-2.5V閘極驅動下的導通電阻少於20mΩ;DMP2021UFDF在-1.8V閘極驅動下的導通電阻則少於26mΩ。以MOSFET作為高側負載開關來關掉閒置處理器核心和其他非活躍電路,能有效延長電池壽命。

新產品採用了佔位面積僅4mm2的小型DFN2020封裝,離板高度只有0.6mm,同樣非常適合對空間要求嚴格的應用。這款封裝還具有外露漏極焊墊,其低於10°C/W的結點至焊墊熱阻提供散熱功能,從而降低裸片溫度並提升元件可靠性。

Diodes網址:www.diodes.com

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