美高森美擴大RF功率MOSFET產品陣容

2012-06-12
美高森美公司(Microsemi)宣布擴大射頻(RF)功率產品線,推出DRF1400功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。該產品非常適合在廣泛的工業、科學和醫療(Industrial Scientific and medical, ISM) 應用的RF產生器中使用,包括用於半導體、液晶顯示器(LCD)和太陽能電池製造的電漿產生,以及工作頻率高達30MHz 的CO2雷射器。
美高森美公司(Microsemi)宣布擴大射頻(RF)功率產品線,推出DRF1400功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。該產品非常適合在廣泛的工業、科學和醫療(Industrial Scientific and medical, ISM) 應用的RF產生器中使用,包括用於半導體、液晶顯示器(LCD)和太陽能電池製造的電漿產生,以及工作頻率高達30MHz 的CO2雷射器。

美高森美的DRF系列產品在單一高散熱性能封裝中整合RF閘極驅動器、功率MOSFET和相關的旁路電容器。DRF1400採用半橋拓撲,是美高森美 DRF系列中的第一款半橋拓撲元件,在1kW下可提供高於92%的效率。

此外,低寄生電容和電感,加上施密特(Schmitt)觸發器輸入、卡爾文(Kelvin)訊號地線、防振鈴功能、反相和同相(Non-invert)選擇接腳,為kW到數千瓦的高頻ISM應用提供了改進的穩定性和控制功能。高整合度還可縮減材料清單(Bill-of-material)元件數目和成本。

美高森美網址:www.microsemi.com

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