安森美(ONSemiconductor)推出新系列的時脈產生器積體電路(IC)，管理時鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴於時鐘的訊號提供降低全系統級的EMI。
安森美(ONSemiconductor)推出新系列的時脈產生器積體電路(IC)，管理時鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴於時鐘的訊號提供降低全系統級的EMI。
新的P3MS650100H及P3MS650103H低壓互補金屬氧化物半導體(LVCMOS) 降低峰值EMI時脈產生器非常適合用於空間受限的應用，如便攜電池供電設備，包括手機及平板電腦。這些便攜設備的EMI/RFI可能是一項重要挑戰，而符合相關規範是先決條件。這些通用新元件採用小型四接腳WDFN封裝，尺寸僅為1毫米(mm)x1.2毫米x0.8毫米。
P3MS650100H及P3MS650103H支援的輸入電壓範圍為1.8～3.3 伏特(V)，典型偏差為0.45～1.4%，在時鐘源降低EMI/RFI的頻率範圍在15～60 MHz。工作溫度範圍為-20～+85ºC。
安森美半導體定制工業及時序產品副總裁Ryan Cameron說，須要符合EMI規範同時控制成本及把印刷電路板(PCB)占用面積減至最小，是行動應用的重要挑戰。公司新的降低EMI IC克服這些挑戰，提供在時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘及資料訊號處降低EMI/RFI的高性價比方案。設計工程師在設計週期及早採用這些元件，可無須其他方案及加入成本不菲的額外PCB層或遮罩來處理EMI/RFI問題。
安森美網址：www.onsemi.com