美高森美(Microsemi)推出新一代1200伏特(V)非貫穿型(Non-punch through, NPT)絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列中的第一款產品。
美高森美(Microsemi)推出新一代1200伏特(V)非貫穿型(Non-punch through, NPT)絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列中的第一款產品。
新的IGBT系列採用美高森美Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，整體開關和導通損耗可顯著降低20%。這些IGBT元件主要針對焊接機、太陽能逆變器和不斷電與開關電源等應用。
美高森美新的離散元件產品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些元件可以獨立形式提供，或者與任何一款美高森美的FRED或碳化矽蕭特基(Schottky) 二極體組合封裝提供，以便簡化產品開發和製造。
其他特性包括閘極電荷(Qg) 比競爭產品顯著減少，提供更快的開關性能；硬體開關運作頻率高於80KHz，達到更高效率的功率轉換；易於並聯，可提升高功率應用的可靠性；以及額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time, SCWT)，為需要短路能力的應用提供可靠運作。
美高森美網址：www.microsemi.com