閘極驅動器 SiC 合作結盟

NI/ROHM聯手推動GaN功率元件的普及

2018-06-25
氮化鎵(GaN)和羅姆(ROHM)為促進功率電子市場的創新與發展,將針對GaN功率元件事業攜手展開合作。
氮化鎵(GaN)和羅姆(ROHM)為促進功率電子市場的創新與發展,將針對GaN功率元件事業攜手展開合作。

GaN Systems Inc. CEO Mr. Jim Witham表示,GaN功率元件正迅速確立其在功率電子領域的地位,從我們的合作中可以看出GaN在功率電子產品領域是多麼重要。非常高興這次能夠與業界知名的先端企業ROHM共創合作體制。透過二家公司在專業知識與研發能力上的合作,我相信將會有越來越多的企業能夠實際體驗GaN在高功率輸出、高效率、小型輕量化。

ROHM株式會社 董事 東 克己表示,ROHM已將功率元件事業確立為今後的重點發展戰略之一,長久以來ROHM以領先業界的SiC(碳化矽)功率元件為中心,為市場提供最先端的產品,同時也提供可徹底發揮其性能的閘極驅動器相關電源解決方案。為進一步強化產品陣容,ROHM一直在積極推動GaN的研發,今後我們將結合二家公司的技術優勢和專業知識,加速開發新一代功率元件,提供更多的電源解決方案來滿足市場需求。

雙方此次合作將充分發揮GaN Systems在GaN功率電晶體業界性能的優勢,以及ROHM在GaN功率元件相關技術與豐富的電子元件設計/製造能力。二家公司將利用GaN Systems的GaNPX封裝技術和ROHM在功率元件的傳統封裝技術,聯合開發出最適合GaN元件的產品,相信這將徹底發揮GaN元件的潛力。此外,雙方也會透過相容性產品,持續穩定地為彼此的客戶供應GaN元件。

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