恩智浦(NXP)擴張其RF Power電晶體產品線，推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2GHz～1.4GHz頻率間提供高達500瓦的突破性的RF輸出功率。
恩智浦(NXP)擴張其RF Power電晶體產品線，推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2GHz～1.4GHz頻率間提供高達500瓦的突破性的RF輸出功率。
恩智浦RF功率產品線全球產品市場經理Mark Murphy表示，恩智浦高效能LDMOS RF功率電晶體產品線建立一個嶄新標準，為其客戶提供市場上表現最優異和最耐用的電晶體。將RF輸出功率提高至500瓦的技術突破，是恩智浦內部傾力合作、貼近客戶需求的結果，使其推出易於導入設計並縮短上市時間的電晶體產品。
恩智浦的此款元件結合雙極管功率密度和適用於L波段雷達設計的LDMOS技術優勢，其環保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。
恩智浦網址：www.nxp.com