Infineon 英飛凌

英飛凌推出第五代1,200V SiC二極體

2014-07-08
英飛凌(Infineon)推出第五代1,200(V) thinQ! SiC Schottky二極體,擴展全方位的SiC產品組合。全新的SiC二極體具有即使在操作溫度下,也有超低的正向電壓、提高100%以上的突波電流能力,以及絕佳的散熱特性。這些特色能顯著提高太陽能逆變器、不斷電系統(UPS)、三相切換模式電源供應器(SMPS)及馬達驅動器的效率及耐用操作。
英飛凌(Infineon)推出第五代1,200(V) thinQ! SiC Schottky二極體,擴展全方位的SiC產品組合。全新的SiC二極體具有即使在操作溫度下,也有超低的正向電壓、提高100%以上的突波電流能力,以及絕佳的散熱特性。這些特色能顯著提高太陽能逆變器、不斷電系統(UPS)、三相切換模式電源供應器(SMPS)及馬達驅動器的效率及耐用操作。

英飛凌及SiC功率分離式元件行銷協理Roland Stele表示,第五代SiC二極體提供能協助客戶從他們的設計中得到最高效率的產品。二極體損耗減少、範圍更廣的切換頻率,同時因提升的突波電流能力,而使可靠性更好。

第五代SiC二極體使用全新的精簡型晶片設計,透過將pn接面的工程設計合併在Schottky電池場中達成,使得每個晶片面積有更小的微分電阻,因此讓二極體的損耗較前一代降低高達30%;例如20kHz切換頻率,滿載操作的三相太陽能逆變器之前端升壓級。

英飛凌網址:www.infineon.com

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