格羅方德和SiFive於日前台灣舉辦的格羅方德技術大會(GTC)上宣布，他們正在合作研發將高頻寬記憶體(HBM2E)運用於格羅方德最近宣布的12LP+FinFET解決方案上，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案提供2.5D封裝設計服務，可加速人工智慧(AI)應用的上市時間。
SiFive IP業務部門副總裁暨總經理Mohit Gupta表示，在格羅方德的12LP+解決方案上擴展SiFive具HBM2E的參考IP平台，為新一代系統單晶片和加速器提供優異性能和整合水準。部署高度優化的晶片需要仰賴定製功能，以實現AI所需的每毫瓦更高TOPS和低延遲性能，同時兼顧低功耗和小面積。
為了實現數據密集AI訓練應用的容量和頻寬，系統設計師面臨在同時保持合理的功率標準下，將更多的頻寬壓縮到較小區域的艱鉅挑戰。格羅方德的12LP平台和12LP+解決方案搭配SiFive的定製高頻寬記憶體介面，能使高頻寬記憶體輕鬆整合到系統單晶片(SoC)解決方案中，從而在運算和有線基礎設施市場中，為AI應用提供快速、節能的數據處理。
作為合作的一部分，設計人員還能使用SiFive的RISC-V IP產品組合和DesignShare IP生態系統，運用格芯12LP+設計技術協同優化(DTCO)，大幅提高晶片的專門化，改善設計效率，在迅速又具成本效益的情況下提供差異化的SoC解決方案。
格羅方德的運算和有線基礎設施首席技術長Ted Letavic表示，格羅方德長期致力於提供差異化的FinFET專業應用解決方案和IP，使客戶能開發AI應用的性能增強型產品。結合格羅方德最先進的FinFET平台和SiFive獨特的設計方法，該公司將發展獨一無二的高性能邊緣運算解決方案，使設計人員能夠充分利用數據洪流的優勢。
格羅方德的12LP+是一款針對AI訓練和推理應用的創新解決方案，為設計人員提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取單元，支持處理器與記憶體之間快速、節能的數據傳輸。此外，用於2.5D封裝的新中介層有助於將高頻寬記憶體與處理器整合在一起，以實現快速、節能的數據處理。
格羅方德在紐約馬爾他的8號晶圓廠，正在開發SiFive用於12LP和12LP+的HBM2E介面和定制IP解決方案。客戶可以在2020年上半年開始優化晶片設計，開發針對高性能計算和邊緣AI應用的差異化解決方案。