MOSFET Type3 Type4

凌力爾特推出IEEE 802.3bt PD介面控制器

2017-06-15
亞德諾半導體(ADI)旗下的凌力爾特(Linear)日前推出IEEE 802.3bt受電設備(PD)介面控制器LT4294,該元件適用於需要高達71W傳送功率的應用。IEEE 802.3bt之新乙太網路供電(PoE)標準提高了功率預算以支援新應用和功能,同時可支援10Gbit/s乙太網路(10GBASE-T),並保持與較舊的IEEE 802.3af和802.3at PoE裝置的向後相容性。
亞德諾半導體(ADI)旗下的凌力爾特(Linear)日前推出IEEE 802.3bt受電設備(PD)介面控制器LT4294,該元件適用於需要高達71W傳送功率的應用。IEEE 802.3bt之新乙太網路供電(PoE)標準提高了功率預算以支援新應用和功能,同時可支援10Gbit/s乙太網路(10GBASE-T),並保持與較舊的IEEE 802.3af和802.3at PoE裝置的向後相容性。

當與LT4321 PoE理想二極體橋接控制器結合使用時,符合IEEE 802.3bt草案2.3要求的LT4294 PD控制器可從RJ-45連接器向熱插拔輸出提供高達99%的可用功率,並同時支援新功能,包括額外的PD類(5、6、7和8)、PD型(Type3 和Type4)以及5事件分級。

此介面控制器可與任何高效率開關穩壓器結合使用,單特徵PD無需第二個PD控制器,因此能降低系統成本和複雜性。無論使用隔離式或非隔離式開關,開關的彈性都可支援使用現成和專有電源解決方案。

與整合了功率MOSFET的傳統PD控制器不同的是,該介面控制器控制一個外部MOSFET,以大幅度地減少PD產生的總熱量,並最大限度提高電源效率,這在802.3bt的較高功率水準時尤其重要。外部MOSFET架構允許用戶選擇MOSFET的尺寸以適合應用需求。

此介面控制器提供工業和汽車溫度級版本,分別支援–40°C至85°C和–40°C至125°C的操作溫度範圍具整合式開關,對LT4295 802.3bt PD介面控制器發揮補充作用,兩款元件都提供從凌力爾特現有PoE+/LTPoE++ PD控制器(包括LT4276和LT4275控制器)升級的途徑。

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