ST/Soitec/CMP合作FD-SOI CMOS製程

2012-10-30
意法半導體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣布,大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的矽中介服務採用意法半導體的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)28奈米(nm)完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)製程設計晶片原型,採用Soitec開發的創新型矽基板。隨著首批商用晶圓完成,意法半導體近期將會把這個製程發包給第三方晶片製造商。
意法半導體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣布,大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的矽中介服務採用意法半導體的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)28奈米(nm)完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)製程設計晶片原型,採用Soitec開發的創新型矽基板。隨著首批商用晶圓完成,意法半導體近期將會把這個製程發包給第三方晶片製造商。

意法半導體負責設計實現和服務的企業執行副總裁Philippe Magarshack表示,隨著首批採用FD-SOI製程的設計接近完成,目前正是向研究領域推出這項技術的最好時機。FD-SOI製程可支援現有設計快速且輕鬆地移植到FD-SOI平台,帶來低功耗和高性能雙重優勢。

CMP總監Bernard Courtois表示,約三百個專案設計已採用90奈米製程(2009年下市)、三百餘個專案設計已採用65奈米Bulk製程。此外,採用65奈米SOI的設計專案已超過六十個,更值得一提地是,在歐洲、美國、加拿大和亞洲,許多知名大專院校皆已從與意法半導體和CMP的合作中受益。

意法半導體網址:www.st.com

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