意法半導體(ST)著眼於無線標準和頻段(Frequency Band)支援越來越多的應用，推出更符合高性能和高整合度市場需求的STW81200 RF合成器，採用BiCMOS(SiGe)製造技術，單晶片整合寬頻電壓控制振盪器(Voltage-Controlled Oscillators, VCO)、雙架構相位鎖定迴路(Phase-Locked-Loop, PLL)內核、低雜訊穩壓器以及符合各種RF要求的可編程硬體選項。
意法半導體(ST)著眼於無線標準和頻段(Frequency Band)支援越來越多的應用，推出更符合高性能和高整合度市場需求的STW81200 RF合成器，採用BiCMOS(SiGe)製造技術，單晶片整合寬頻電壓控制振盪器(Voltage-Controlled Oscillators, VCO)、雙架構相位鎖定迴路(Phase-Locked-Loop, PLL)內核、低雜訊穩壓器以及符合各種RF要求的可編程硬體選項。
在基地台、無線電鏈接(Radio Link)、衛星、通訊、量測等應用中，系統的總體性能與RF合成器的相位雜訊(Phase Noise)密切相關。這些應用需要高整合度和最佳化的成本，同時又不能犧牲RF性能。為滿足這些要求，STW81200可支援多頻多標準及軟體定義(Software-Defined)的50M～6GHzRF輸出，同時提供-227dBc/Hz正規化頻內相位雜訊層；當通訊載波為4.0GHz、頻率偏移1MHz時，電壓控制振盪器相位雜訊為-135dBc/Hz，相位雜訊層為-160dBc/Hz。
5伏特(V)、3.6伏特或3.0伏特非穩壓單電源，讓STW81200的應用範圍可從傳統市電供電基礎設施擴至以電池供電的可攜式裝置。
已獲市場認同的STW8110x產品系列不斷演進，新RF合成器的性能和靈活度也越來越高，在同一電路板設計上可支援多頻和多RF標準(Logistic)。此外，更高的整合度和降低之材料成本，可為客戶節省更多資金。
意法半導體網址：www.st.com