瑞薩電子(Renesas)與記憶體介面產品商，日前發表一款全新的高速低功耗DDR5資料緩衝器，適用於資料中心、伺服器和高性能工作站應用產品。
近年來，即時分析、機器學習、HPC、AI，還有其他渴求記憶體和頻寬的應用產品持續發展，推動伺服器記憶體頻寬需求的爆炸性成長。瑞薩推出符合JEDEC標準的全新DDR5資料緩衝器5DB0148，為雙直插低負載DIMM(LRDIMM)提供顯著的高速和低延遲，LRDIMM已成為這類新型應用產品的記憶體技術基礎。以瑞薩元件為基礎的第一代DDR5 LRDIMM，比起以3200 MT/s運行的DDR4 LRDIMM，頻寬可再增加35%以上。
瑞薩資料中心事業部副總裁Rami Sethi表示，該公司正在與客戶和生態系統合作夥伴緊密合作，將大幅擴展的記憶體解決方案產品陣容投入量產。該公司的DDR5資料緩衝器對實現高性能DRAM解決方案極為關鍵，諸如LRDIMM、其他類型的高密度模組，以及多樣化記憶體解決方案，這些方案可使新世代高性能運算應用產品更加多樣化。
瑞薩DDR5資料緩衝器藉著減少電容性負載、資料對齊和訊號恢復技術的結合，可以讓重載通道的系統眼圖最大化。這就讓具有大量記憶體通道和插槽，以及複雜路由拓樸的伺服器主機板，也可以用最高速度運行，即使在裝滿高密度記憶體的情況下也是一樣。此外，DDR5模組定義的改進，允許用更低的電源電壓(1.1V，相對於DDR4的1.2V)、DIMM內建穩壓，以及先進控制平面架構的實現(其運用SPD集線器和現代控制匯流排通訊，例如I3C)。
瑞薩是業界自雙直插式記憶體模組問世以來，資深的記憶體介面產品供應商，有開發完整晶片組解決方案的經驗。全新的瑞薩DDR5資料緩衝器5DB0148為最佳化完整解決方案家族的一分子，可與LRDIMM記憶體模組上的其他瑞薩DDR5元件無縫搭配，這些元件包括電源管理IC P8900、暫存器式時脈驅動器5RCD0148、SPD集線器SPD5118，以及溫度感測器TS5111。可確保採用瑞薩晶片組解決方案的記憶體供應商，擁有完整的互通性和穩定的品質。