意法半導體 ST MOSFET 新品發布

ST高效超接面MOSFET瞄準節能型功率轉換拓樸

2019-01-18
意法半導體(ST)新款MDmesh系列600V超接面晶體管是為提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓樸的效能而設計。

針對軟開關技術優化的閘極開啟電壓使新型晶體管適用節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。動態電容電壓曲線有助於提高輕載效能,其最低16 nC的閘極電荷量(Qg)可提供高切換頻率,這兩個優點讓MDmesh M6元件在硬開關拓樸結構中能帶來良好的效能。

此外,意法半導體最先進的M6超接面技術將RDS(ON)電阻降至0.036Ω,將有助於電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅動器、電信設備、服務器電源,以及太陽能微型逆變器等設備進一步提升效和功率密度。

封裝選擇包括節省空間和高熱傳效果的新型無引線TO-LL封裝,以及廣泛採用的直插封裝和表面黏著包裝封裝,包括DPAK、D2PAK、TO-220、TO-247和PowerFLAT。 JEDEC註冊的TO-LL功率封裝較現有的7腳位D²PAK封裝,面積減少30%,且厚度薄了50%,可實現電路配置更密集、空間利用率更高的電源轉換器。TO-LL的低寄生電感還有助於最大限度地減少電磁干擾。

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