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富士通推出能於攝氏零下55度運作的64-Kbit FRAM

2018-06-21
富士通(Fujitsu)近日宣布研發出型號為MB85RS64TU的64-Kbit FRAM。此款記憶體能在攝氏零下55度中運行,為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的FRAM非揮發性記憶體。  
富士通(Fujitsu)近日宣布研發出型號為MB85RS64TU的64-Kbit FRAM。此款記憶體能在攝氏零下55度中運行,為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的FRAM非揮發性記憶體。  

此款產品支援範圍極廣的電源電壓,從1.8伏特至3.6伏特,並支援更低的運作溫度,最低可達攝氏零下55度。由於它能在運作溫度範圍內保證10兆次讀/寫週期,故適合用於像在極寒地區挖掘天然氣與石油的設備或機具等的工業機具。MB85RS64TU適用於例如測量設備、流量計、及機器人等的一般工業應用。

20年來,富士通量產各種FRAM非揮發性記憶體產品,具備高速寫入運行、極高的讀/寫耐用度、及低功耗等特色,因此許多需要頻繁覆寫資料的工業應用,像即時資料記錄與3D位置資料記錄等,都採用富士通的FRAM產品。

MB85RS64TU的運作電源電壓範圍從1.8伏特到3.6伏特,連結SPI介面的最高頻率為10MHz,而運行溫度範圍從攝氏零下55度到攝氏85度。

FRAM產品已推出業界標準的8-Pin SOP封裝,使其能輕易取代8-Pin SOP封裝的EEPROM。此外,還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺吋的8-Pin SON封裝。SON的表面貼裝面積僅為SOP封裝的30%,而貼裝體積更僅為SOP的13%。

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