羅姆蕭特基二極體SiC MOSFET模組正式量產

2013-01-11
羅姆(ROHM)已正式將適用於工業裝置、太陽能發電功率調節器(Power Conditioner)等逆變器/轉換器(Inverter/Converter)的碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)模組(額定規格1200伏特(V)/180安培(A))投入量產。
羅姆(ROHM)已正式將適用於工業裝置、太陽能發電功率調節器(Power Conditioner)等逆變器/轉換器(Inverter/Converter)的碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)模組(額定規格1200伏特(V)/180安培(A))投入量產。

本模組採用將功率半導體元件內建於碳化矽MOSFET之結構,將額定電流提高至180A,如此一來,應用範圍更廣,還能有效協助各種裝置達到低功耗及小型化。本產品之生產地點為羅姆株式會社位於日本京都市的總公司工廠,目前已經開始樣品出貨,並預定自12月開始正式量產及出貨。

為解決本體二極體(Body diode)的通電劣化問題,羅姆採用第二代碳化矽MOSFET,成功地研發出不須以二極體做為整流元件的碳化矽功率模組(碳化矽MOSFET模組),藉由增加碳化矽MOSFET的配置面積,讓模組的體積維持不變,並同時達成大電流的目標。

內建碳化矽MOSFET可改善結晶缺陷相關的製程與元件結構,因此能成功地克服本體二極體(Body diode)等元件在可靠性上的問題。相較於一般轉換器所使用的矽質絕緣閘雙極性電晶體(IGBT),可減少損耗達50%以上,除了降低損耗外,還能達到50kHz以上的高頻,也能使用較小型的週邊零件。

羅姆網址:www.rohm.com

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