LTE多頻多模晶片市場硝煙瀰漫。各家晶片業者為搶攻LTE智慧型手機市場商機，正戮力開發整合應用處理器與基頻處理器的多頻多模SoC方案，並透過不同的行銷策略與核心技術展開激烈的市場攻防戰。
長程演進計畫(LTE)多頻多模晶片市場競爭戰火點燃。瞄準行動裝置導入LTE多頻多模的市場商機，晶片業者已展開激烈的市場角力戰，包括高通(Qualcomm)、邁威爾(Marvell)、英特爾(Intel)與聯發科等皆積極卡位此一市場，並且推出新一代解決方案搶占市場商機。
在電信營運商力拱下，LTE多頻多模手機可望在2013下半年開始陸續出爐，而各家晶片商為提供品牌手機業者低成本與高效能的解決方案，都已開始朝整合應用處理器(AP)與基頻處理器(BP)的系統單晶片(SoC)方案前進；其中，高通與Marvell已率先推出整合LTE多頻多模基頻處理器的SoC，而聯發科與英特爾也將於年底或明年初發表高整合度解決方案。
插旗多頻多模市場 晶片商邁向Soc方案
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| 圖1 高通執行副總裁暨行動運算產品共同總裁Cristiano Amon表示，Soc方案將可節省LTE手機耗電量。 |
高通執行副總裁暨行動運算產品共同總裁Cristiano Amon(圖1)表示，高整合度解決方案不僅能節省手機印刷電路板(PCB)的使用空間，且可大幅節省LTE運作時的耗電量。另外，在製造成本方面也比過往各自獨立的方案更為低廉，遂成為各家晶片商未來產品設計的主要方向。
Amon進一步指出，由於LTE上傳與下載速度相當快，因此除了基頻處理器執行訊號收發的效率須提升外，應用處理器對於數據封包處理的能力也要跟著同步升級，才能提供智慧型手機使用者更佳的聯網體驗。
因此，高通推出Snapdragon 800/400系列SoC方案，可高度整合四核心中央處理器(CPU)與多模3G/LTE基頻處理器，並且支援802.11ac、藍牙(Bluetooth)、調頻(FM)與近距離無線通訊(NFC)等中短程無線通訊技術，以單晶片方式滿足行動裝置聯網需求。
此外，高通也將推出整合多模3G/LTE聯網功能的Snapdragon 400處理器參考設計版本(QRD)，為設備製造商提供完整手機開發平台，此平台亦包括取得第三方供應商經測試與驗證的軟硬體元件。截至目前為止，已有超過四十家設備商推出兩百款以上採用QRD設計的產品，另有超過一百款產品正在開發中。
為了不讓高通專美於前，Marvell也將在今年第三季推出LTE多頻多模SoC方案--PXA1088，此一方案亦採用四核心CPU，並同時支援多頻多模規格，且與Snapdragon 400一樣主打中低階手機市場。
Marvell副總裁暨大中華區總經理張暉指出，過去僅有高通一家可提供LTE多頻多模方案，使得此一規格的手機製造成本居高不下，現今Marvell亦有能力開始量產SoC方案，可望為市場帶來第二貨源的選擇，進而讓設備商可降低晶片採購價格，並藉此打造差異化產品。
據了解，PXA1088不僅支援分時雙工(TDD)與分頻雙工(FDD)兩種模式的LTE技術，亦向後兼容2、3G網路，且支援電路交換回退(Circuit Switched Fallback, CSFB)以及IP多媒體子系統(IMS)為基礎的VoLTE語音解決方案，預估2013下半年開始量產。
另外，聯發科與英特爾也正大步邁向LTE多頻多模SoC方案，使得未來晶片市場競爭勢必將更加劇烈。資策會MIC通訊暨新興領域研究中心資深產業分析師翁嘉德認為，對於才剛起飛的LTE多頻多模市場而言，愈來愈多晶片商投入將有助於產業商機擴大；而聯發科與英特爾雖然較晚進入此一市場，但這兩家業者分別以低成本與高階製程等優勢迎戰高通與Marvell，其市場競爭力仍不容小覷。
各家晶片業者除祭出高整合度SoC方案外，亦已開始追逐40、28甚至22奈米(nm)等高階製程，藉此降低LTE所造成的驚人功耗，為智慧型手機帶來更長的使用時間。
搶當LTE省電一哥 晶片商製程競逐戰開打
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| 圖2 英特爾資深副總裁暨個人電腦用戶端事業群總經理Hermann Eul指出，採用先進製程的LTE解決方案可進一步縮減晶片尺寸，並提高系統效能。 |
英特爾資深副總裁暨個人電腦用戶端事業群總經理Hermann Eul(圖2)表示，由於無線聯網是最消耗行動裝置電力的應用，因此晶片若採用高階製程，將可讓CPU、繪圖處理器(GPU)與數據機共同整合至同一封裝中，進而有效降低整體功耗。
Eul進一步指出，英特爾在應用處理器方面採用22奈米製程，而LTE多頻多模數據機解決方案或SoC方案也將會跟進，透過高階製程達到低功耗優勢，藉此改善LTE技術耗電過快的問題，並同時支援全球通用的LTE頻段。
目前英特爾已推出XMM 7160高整合度LTE多頻多模數據機，除支援全模式外，亦具備十五種電信營運商常用的LTE頻段，可實現數據漫遊願景。該元件內含一個調整彈性極高的射頻(RF)架構，能執行多種即時演算法，並具備波封追蹤與天線調整功能，進而造就出低成本的多頻寬組態、延長行動裝置電池續航力。
據了解，XMM 7160已在北美、歐洲與亞洲等地的電信營運商端進行最終互通性測試(IOT)，預估年底前可望於市場上看到搭載此一解決方案的終端產品問世。
除英特爾積極邁向高階製程外，高通LTE多頻多模解決方案亦全部採用28奈米製程，至於Marvell則採用40奈米製程。張暉表示，Marvell採用40奈米的原因除晶圓廠28奈米產能不足外，最重要的是可藉此降低光罩成本，提供手機業者性價比更高的晶片，以搶攻中低階多頻多模手機。
儘管Marvell目前仍以40奈米製程為主，但該公司未來計畫進軍高階多頻多模手機市場。張暉透露，Marvell下一代產品將朝28奈米，甚至更高階製程進行產品開發，且將導入安謀國際(ARM)big.LITTLE架構，藉此降低晶片功耗。
顯而易見，2013下半年多頻多模市場競爭將進入白熱化階段，晶片市場也會開始汰弱留強，唯有同時掌握應用處理器與基頻處理器技術能力的業者，才有機會在多頻多模市場中占有一席之地。
多頻多模市場競爭激烈 手機晶片商將重新洗牌
安捷倫電子量測事業群行銷處資深產品經理徐正平表示，晶片商開發LTE多頻多模SoC方案時，除要同時具備應用處理器與基頻處理器的技術外，亦須投入大量研發資金與人力資源，財務體質不佳與產品線過於單一化的公司很容易在市場中淘汰出局。
事實上，過去曾在多頻多模市場處於領先地位的意法愛立信(ST-Ericsson)與瑞薩行動(Renesas Mobile)都因晶片業務虧損連連的問題，目前反而在此一市場中陷入苦戰。
然而，晶片商若想在多頻多模市場中站穩腳步，不光是財務體質要健全，在通訊技術方面亦須涵蓋2G、3G與LTE技術，僅依靠單一技術將難以進入此一市場。
有鑑於此，目前已有中國大陸3G基頻處理器業者為突破高通、聯發科、英特爾與Marvell的重圍，已開始攜手與GCT、思寬(Sequans)等僅具備LTE技術的業者合作，藉此搶攻LTE多頻多模市場。
新岸線市場營銷副總裁楊宇欣指出，目前有許多LTE通訊晶片商與中國大陸本土處理器業者正急欲跨入LTE多頻多模市場，藉此互補技術不足之處，共同搶占市場商機。
楊宇欣透露，新岸線為布局中低階LTE多頻多模手機市場，已開始與LTE通訊晶片業者進行產品開發合作，預估2014年推出LTE多頻多模SoC方案，進而共同推動平價高規手機市場。
隨著一線晶片業者紛紛推出新一代SoC解決方案，未來LTE多頻多模手機製造成本可望快速降低，進而將商機從高階市場擴展至中低階市場；而二、三線晶片業者為保持競爭力，也已積極展開多頻多模產品布局，將加劇晶片市場競爭態勢。