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美光推出第三代低延遲記憶體 RLDRAM

2010/7/26

美光(Micron)宣布推出第三代低延遲動態記憶體(DRAM)RLDRAM 3記憶體，是一種高頻寬記憶體技術，能更有效的傳輸網路資訊。影像內容、行動應用與雲端計算的蓬勃發展，產生對更高效網路基礎設施的需求，以期在線上傳輸大量資料。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3記憶體，進一步提高儲存容量和速度，同時將延遲減至最低並降低功耗，在網路應用中效能更好。

美光的DRAM行銷副總裁Robert Feurle表示，隨著網路內容消費的不斷增長，人們日益需要一種能支援網路流量增長的技術，美光的RLDRAM 3記憶體可滿足這種需求。

對於現有的RLDRAM 2，美光將繼續提供最高水準的技術支援，並計畫長期生產該產品。此外，美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50奈米(nm)製程，提高系統效能並降低功耗。

美光網址：www.micron.com


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