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| 新通訊 3 月號 109 期 |
| 3D IC顛覆晶片整合演進 |
| 正如杜拜哈里發塔的問世,人類在平面設計日益擁擠時,便會朝向立體空間邁進。而各式立體封裝技術日益成熟,也有助半導體產業打破過去的摩爾定律,甚至可望突破現有微縮製程限制,進而顛覆整個半導體產業。雖然近期矽穿孔的發展為3D IC帶來嶄新突破,但包括EDA、半導體測試、散熱管理與設計人員概念,是否能跟上這波話題熱潮,以加速3D IC成形,皆是3D IC未來發展的關鍵所在。 |
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| 應用驅力有限 3D IC雷大雨小 |
| 文.侯俊宇 |
| 雖在各界的支持下,3D IC之未來發展頗受重視,更被視為摩爾定律告終時之救世主,但就時程而言,3D IC要在22奈米製程走到盡頭時才會真正崛起,加上半導體測試設備、設計工具與其他周邊環境並未到位,現在談3D IC的發展恐怕言之過早。 |
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| 穩紮穩打表現亮眼 SiP逐步升溫 |
| 文.侯俊宇 |
| 談及晶片立體堆疊技術,除了近期大為風行的3D IC吸引不少業界目光外,較早問世的其他技術如SiP、MCP與SoC等,也都擁有一定支持者。不過,其中又以SiP能快速因應市場變化,同時符合消費性電子生命週期短之特性,在近期表現亮眼。 |
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| 垂直堆疊優勢多 3D IC倒吃甘蔗 |
| 文.唐經洲 |
| 3D IC是近期極為熱門的話題之一,不單是因為有可能打破存在30年之摩爾定律,也因其可縮小體積、降低功耗、提升可靠性與安全性等特性,而備受矚目。整體而言,若能善用3D IC之諸多優勢,將有助消費性電子與各式可攜式裝置朝向更加輕薄短小且兼具高效能之路途邁進。 |
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