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eMMC功成/UFS接棒 手機內建記憶體介面改朝換代

2018-11-06
未來5G時代,傳輸速率、記憶體容量、應用內容資料量預期都要再往上提升,持續採用eMMC介面一定會拖累手機整體效能,轉換至UFS已是箭在弦上;2018年第四季,中階處理器將首度支援UFS介面,促成手機內建記憶體介面改朝換代。

智慧型手機儲存容量不斷提升,以最新iPhone XS為例,最低容量64GB起跳,中階256GB、高階甚至達512GB,加上後4G時代,傳輸速率超過100Mbps是家常便飯,高畫質的影音直播更是目前行動應用的主流,資料傳輸要避免成為手機運作的瓶頸,傳輸介面也要升級。

目前手機記憶體傳輸介面以eMMC為主流,不過這個架構已經在Android手機沿用多年,JEDEC協會於2011年推出UFS 1.0標準,欲取代效能已漸至極限的eMMC標準,發展多年直到2018年,eMMC還是穩居手機記憶體傳輸介面主流。群聯電子產品專案管理處長陳禹任(圖1)表示,過去兩年UFS的導入總是給業界「狼來了」的感受,關鍵在於手機處理器的支援,如今2018年第四季,主流的中階處理器開始支援UFS,相信就是該規格開始成長的重要關鍵。

圖1 群聯電子產品專案管理處長陳禹任表示,2018年第四季,主流中階處理器開始支援UFS,是該規格開始成長的關鍵。

UFS效能大幅超越eMMC

eMMC介面多年前從外接卡轉向內部儲存介面,等於與Android手機一起成長,成為手機內建記憶體的主流介面,但陳禹任說,eMMC 4.5的200MB/s到2013年5.0的400MB/s後介面的速度就沒有提升了。2015年eMMC 5.1版本僅支援Command Queue以提升隨機存取速度,表示該介面傳輸速率已接近物理極限。反觀UFS規格多年來雖然未能順利取代eMMC,卻沒因此停下發展腳步,2018年初,最新的UFS 3.0正式提出,相較於eMMC的效能優勢也越來越明顯。

UFS從2013年發表的2.0版本開始採用2 Lane的傳輸模式,傳輸速率可達1,200MB/s,已經是eMMC 5.1版本400MB/s的三倍以上。而3.0版本利用MIPI m-PHY Gear 4,在2 Lane模式下速率高達2,400MB/s,是eMMC 5.1的六倍;此外,行動裝置永遠都需要降低耗電量,陳禹任強調,UFS與eMMC的8bit平行式I/F不同,UFS資料傳輸採用序列式架構,CMD set是SCSI。因此,UFS可以兼具SSD的速度和eMMC的低功耗。

中階手機處理器扮演推手

未來5G時代,傳輸速率、記憶體容量、應用內容資料量預期都要再度提升,持續採用eMMC一定會拖累手機整體效能,轉換至UFS已是箭在弦上。根據產業研究機構的調查(圖2),2018年UFS市占率約12%,eMMC尚擁有88%市場,UFS大概只出現在旗艦手機;2019年會加速市場滲透UFS 2.x規格市占預計約30%,UFS 3.x正式進入市場,取得3%市場,eMMC固守中低階手機,市占率約67%。2020年UFS系列介面整體市占達55%,將取代eMMC成為主流。

圖2 手機內建儲存介面發展趨勢

陳禹任解釋,與過去預測最大的不同在於,導入UFS的關鍵在於手機處理器的支援,過去主要是最高階處理器支援UFS,2018年第四季,中階處理器將首度支援UFS介面。以業界龍頭高通(Qualcomm)的產品線為例,過去僅8系列處理器支援UFS,接下來新款的中階處理器670將支援UFS 2.x版本,對UFS的普及產生更大的推動力量。當越來越多的中階手機晶片可以支援UFS,加上越來越多的NAND原廠UFS記憶體模組產品線uMCP成熟後,取代eMMC的速度就會加速。

而UFS速度跟容量是eMMC的數倍,在讀寫多顆NAND顆粒時,瞬間會產生相當大的耗電,因此各家NAND廠商的趨勢是把NAND VCC從3.3V降到2.5V。NAND IO VCCQ也就是連接控制晶片這端從1.8V降到1.2V,因應此一趨勢,UFS規格也定義了VCCQ 1.2V,並在3.0規格內另訂了VCC 2.5V。

技術與市場挑戰嚴峻

對於NAND Flash控制晶片廠商而言,未來面臨的挑戰也因為規格的提升而增加,陳禹任認為,從eMMC到UFS晶片設計門檻越來越高,UFS提升到3.0後,2,400MB/s與高IOPS、低延遲(Low Latency)的要求,意味者控制晶片要以SSD架構去設計,必須有強大的32bit處理器,不像eMMC以成本為設計考量,只須考量1 CH(通道)的架構,而是2 CH或4 CH,另外為了低延遲,很多處理用軟體做太慢了可能需要從硬體上解決,隨著NAND Flash製程不斷更新,預期控制晶片也將進入1x奈米製程,這對控制IC來講,複雜度與成本都將大幅提升。

智慧型手機市場已接近飽和,每年約15億支,陳禹任說,記憶體控制器不像光學鏡頭越用越多顆,也不像記憶體容量不斷提升,控制器漲價的空間有限,使用量也僅有一顆。為提升NAND Flash的耐用度也要持續精進控制器ECC的能力,而在支援新的3D NAND上,UFS所需要的ECC硬體能力如LDPC+ RAID,已經與PCIe SSD相當。另外,韌體對NAND Flash管理的Know-how一直都很重要,得到NAND Flash原廠的良好合作關係與技術支援,更是產品是否能成功的關鍵,也惟有持續投入保持技術領先才能不被市場淘汰。群聯針對UFS應用也推出PS8313記憶體控制晶片系列,分別支援嵌入式與外接UFS卡應用,可搭配記憶體容量最高達256GB。

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